Adriano de Souza Martins

Bacharel em Física pela Universidade Federal do Rio de Janeiro (1996), onde também realizou mestrado (1999) e doutorado (2003) em Física, ambos sob a orientação de Belita Koiller. Entre 2003 e 2004, realizou um estágio pós-doutoral na Universite Catholique de Louvain, sob a supervisão de Xavier Gonze e entre 2004 e 2006 foi também posdoc no Instituto de Física da UFF, sob a supervisão dos professores Pedro Venezuela e Roberto Bechara Muniz. Atualmente é professor associado, nível I, da Universidade Federal Fluminense, lotado no departamento de Física do Instituto de Ciências Exatas do Pólo Universitário de Volta Redonda (ICEx/PUVR/UFF). Tem experiência na área de Física da matéria condensada teórica, atuando principalmente nos seguintes temas: (i) Cálculos de primeiros princípios da estrutura eletrônica de materiais (semicondutores, metais, nanoestruturas, etc...); e (ii) Estudo das propriedades termodinâmicas e estruturais de fluidos pelas técnicas clássicas de Monte Carlo e Dinâmica Molecular; (iii) Cálculos tight-binding baseado no método de Huckel Estendido, com aplicações à estrutura eletrônica de semicondutores, nanoestruturas e vacâncias.

Quer entrar em contato? Fale com a Assessoria de Imprensa da UFF

Publicações

Revista: Journal of Physical Chemistry. C
Título Anoordem crescente doi Idioma
Anisotropic Electronic Structure and Transport Properties of the H-0 Hyperhoneycomb Lattice 2017 10.1021/acs.jpcc.6b10336 Inglês
Band Gap Opening in Dual-Doped Monolayer Graphene 2016 10.1021/acs.jpcc.5b11709 Inglês
Revista: Materials Science Forum (Online)
Título Anoordem crescente doi Idioma
Longe Range Exchange Interactions in Sintered CuMn Alloys: A Monte Carlo Study 2017 10.4028/www.scientific.net/msf.899.266 Inglês
The Exchange Energy Term and the Curling Reversal Mode in Hard Magnetic Materials Manufactured by Powder Metallurgy 2017 10.4028/www.scientific.net/msf.899.549 Inglês
Revista: Journal of Magnetism and Magnetic Materials
Título Anoordem crescente doi Idioma
Domain Wall Structure in Metals: a New Approach to an Old Problem 2017 10.1016/j.jmmm.2017.06.134 Inglês
Revista: Brazilian Journal of Physics
Título Anoordem crescente doi Idioma
Revisiting Spin Glasses: Impact of Spin-Spin Interaction Range 2017 10.1007/s13538-017-0547-3 Inglês
Revista: PHYSICAL REVIEW LETTERS
Título Anoordem crescente doi Idioma
Comment on -Line of Dirac Nodes in Hyperhoneycomb Lattices- 2016 10.1103/PhysRevLett.116.249701 Inglês
Revista: Brazilian Journal of Physics (Impresso)
Título Anoordem crescente doi Idioma
Orthogonal and Non-Orthogonal Tight Binding Parameters for III-V Semiconductors Nitrides 2016 10.1007/s13538-016-0448-x Inglês
Revista: The Journal of Chemical Physics
Título Anoordem crescente doi Idioma
Note: Cold spectra of the electronic transition A2Σ+-X2Π of N2O+ radical: High resolution analysis of the bands 000-100, 100-100, and 001-101 2015 10.1063/1.4934786 Inglês
Revista: Journal of Physics. Condensed Matter (Online)
Título Anoordem crescente doi Idioma
Group-IV nanosheets with vacancies: a tight-binding extended Hückel study 2014 10.1088/0953-8984/26/36/365501 Português
Revista: Solid State Communications
Título Anoordem crescente doi Idioma
An extended Hückel study of the electronic properties of III-V compounds and their alloys 2014 10.1016/j.ssc.2014.01.028 Inglês
An Elastic Model for the In-In correlations in InxGa1-xAs Semiconductor Alloys 2000 Inglês
Revista: Physica. A (Print)
Título Anoordem crescente doi Idioma
Lennard-Jones binary fluids: A comparative study between the molecular dynamics and Monte Carlo descriptions of their structural properties 2012 10.1016/j.physa.2012.04.003 Inglês
Revista: Materials Letters (General ed.)
Título Anoordem crescente doi Idioma
Energy of Ni/Ni3Al interface: A temperature-dependent theoretical study 2012 10.1016/j.matlet.2012.05.057 Inglês
Revista: The European Physical Journal. B, Condensed Matter Physics (Print)
Título Anoordem crescente doi Idioma
Au and Cu Atoms on NaCl(001): a single-atom based memory device prototype? 2010 10.1140/epjb/e2010-90852-6 Inglês
Revista: International Journal of Modern Physics C
Título Anoordem crescente doi Idioma
COMPARISON BETWEEN MOLECULAR DYNAMICS AND MONTE CARLO DESCRIPTIONS OF SOLID LIQUID PHASE-TRANSITION OF LENNARD JONES FLUIDS 2010 10.1142/S0129183110015154 Inglês
Revista: Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics
Título Anoordem crescente doi Idioma
Conduction-band tight-binding description for Si applied to P donors 2005 10.1103/PhysRevB.72.193204 Inglês
Electric-field control and adiabatic evolution of shallow donor impurities in silicon 2004 10.1103/physrevb.69.085320 Inglês
Revista: Anais da Academia Brasileira de Ciências
Título Anoordem crescente Idioma
Silicon-based spin and charge quantum computation 2005 Inglês
Revista: Physica Status Solidi. B, Basic Research
Título Anoordem crescente Idioma
The Nature of Shallow-State Wave Functions in Semiconductors 2002 Inglês
Revista: Physical Review. B, Condensed Matter. (Cessou 1997. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics)
Título Anoordem crescente doi Idioma
Atomistic description of shallow levels in semiconductors 2002 10.1103/PhysRevB.65.245205 Inglês
Revista: Physica Status Solidi. A, Applied Research
Título Anoordem crescente Idioma
Semiconductor Heterostructures with Non-ideal interfaces: Eletronic Structure and Optical Properties 1999 Inglês
Revista: Revista Brasileira de Ensino de Física
Título Anoordem crescente Idioma
Simetrias e Leis de Conservação na Mecânica Clássica 1999 Português
Revista: Applied Physics Letters
Título Anoordem crescente Idioma
Optical Effects of Atomic Interdiffusion in GaAs/AlAs Heterostructures: Atomic Scale Calculations 1996 Inglês