Título: Electric-field control and adiabatic evolution of shallow donor impurities in siliconAutor: Adriano de Souza MartinsAno: 2004Idioma: InglêsDOI: 10.1103/physrevb.69.085320Revista: Physical Review. BCondensed Matter and Materials PhysicsISSN: 10980121Tags: Impurezas em Semicondutorespropriedades eletrônicasHome: http://prb.aps.org
